PK636BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PK636BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PK636BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK636BA даташит

 ..1. Size:407K  unikc
 pk636ba.pdf pdf_icon

PK636BA

PK636BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8m @VGS = 10V 30V 46A PDFN 5X6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V Tc = 25 C 46 ID Continuous Drain Current3 Tc = 100 C 29 IDM 120 Pulsed Drain Current

 ..2. Size:689K  niko-sem
 pk636ba.pdf pdf_icon

PK636BA

PK636BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 30V 8m 46A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Volta

Другие IGBT... PK610SA, PK612DZ, PK615BM6, PK615BMA, PK616BA, PK618BA, PK626BA, PK632BA, RFP50N06, PK650BA, PK664BA, PK696BA, PK698SA, PK6A6BA, PK6B2BA, PK6H2BA, PA002FMA