PK636BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PK636BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PK636BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK636BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK636BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  unikc
 pk636ba.pdf pdf_icon

PK636BA

PK636BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8m @VGS = 10V30V 46APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C46IDContinuous Drain Current3Tc = 100 C29IDM120Pulsed Drain Current

 ..2. Size:689K  niko-sem
 pk636ba.pdf pdf_icon

PK636BA

PK636BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 8m 46A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Volta

Другие MOSFET... PK610SA , PK612DZ , PK615BM6 , PK615BMA , PK616BA , PK618BA , PK626BA , PK632BA , IRF2807 , PK650BA , PK664BA , PK696BA , PK698SA , PK6A6BA , PK6B2BA , PK6H2BA , PA002FMA .

 

 
Back to Top

 


 
.