PA002FMA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PA002FMA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT23S
Аналог (замена) для PA002FMA
PA002FMA Datasheet (PDF)
pa002fma.pdf

PA002FMAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100m @VGS = -4.5V-20V -3ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.4IDM-20Pulsed Drain
pa002fmg.pdf

PA002FMGP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100m @VGS = -4.5V-20V -3ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 12TA = 25 C-3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-2.4IDM-10Pu
Другие MOSFET... PK636BA , PK650BA , PK664BA , PK696BA , PK698SA , PK6A6BA , PK6B2BA , PK6H2BA , 8N60 , PA002FMG , PA004EM , PA010HK , PA102FDG , PA102FMA , PA102FMG , PA110BC , PA110BD .
History: CEB14N5 | MTG9N50E | PV616DA | PT5B9BA | PR802BA33
History: CEB14N5 | MTG9N50E | PV616DA | PT5B9BA | PR802BA33



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet