PA010HK - аналоги и даташиты транзистора

 

PA010HK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PA010HK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PA010HK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA010HK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  unikc
 pa010hk.pdf pdf_icon

PA010HK

PA010HKDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100m @VGS = 10V100V 9.1APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C9.1IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.7IDM25Pulsed Drai

 9.1. Size:289K  niko-sem
 pa010bv.pdf pdf_icon

PA010HK

PA010BV N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 100m 3A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25

Другие MOSFET... PK696BA , PK698SA , PK6A6BA , PK6B2BA , PK6H2BA , PA002FMA , PA002FMG , PA004EM , AO3401 , PA102FDG , PA102FMA , PA102FMG , PA110BC , PA110BD , PA110BDA , PA110BL , PA110BV .

 

 
Back to Top

 


 
.