PA110BC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PA110BC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 58 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm
Тип корпуса: SOT89
PA110BC Datasheet (PDF)
pa110bc.pdf
PA110BCN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID110m @VGS = 10V100V 4ASOT-89ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTA = 100 C3.5AIDM15Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 4.8E
pa110bv.pdf
PA110BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID110m @VGS = 10V100V 3.2ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C3.2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C2.5AIDM10Pulsed Drain Curr
pa110bd.pdf
PA110BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID110m @VGS = 10V100V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C10AIDM60Pulsed Drain Curren
pa110bda.pdf
PA110BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID105m @VGS = 10V100V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9.2AIDM20Pulsed Drain Cur
pa110bl.pdf
PA110BLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID110m @VGS = 10V100V 3A SOT- 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C6IDContinuous Drain Current TA = 25 C3.2ATA = 100 C2IDM15Pulsed Drain Current1IASAval
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
