Справочник MOSFET. PA110BV

 

PA110BV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PA110BV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для PA110BV

 

 

PA110BV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  unikc
 pa110bv.pdf

PA110BV PA110BV

PA110BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID110m @VGS = 10V100V 3.2ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C3.2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C2.5AIDM10Pulsed Drain Curr

 8.1. Size:771K  unikc
 pa110bc.pdf

PA110BV PA110BV

PA110BCN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID110m @VGS = 10V100V 4ASOT-89ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTA = 100 C3.5AIDM15Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 4.8E

 8.2. Size:411K  unikc
 pa110bd.pdf

PA110BV PA110BV

PA110BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID110m @VGS = 10V100V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C10AIDM60Pulsed Drain Curren

 8.3. Size:739K  unikc
 pa110bda.pdf

PA110BV PA110BV

PA110BDAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID105m @VGS = 10V100V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9.2AIDM20Pulsed Drain Cur

 8.4. Size:445K  unikc
 pa110bl.pdf

PA110BV PA110BV

PA110BLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID110m @VGS = 10V100V 3A SOT- 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C6IDContinuous Drain Current TA = 25 C3.2ATA = 100 C2IDM15Pulsed Drain Current1IASAval

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top