PA210HVA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PA210HVA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PA210HVA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA210HVA даташит

 ..1. Size:447K  unikc
 pa210hva.pdf pdf_icon

PA210HVA

PA210HVA Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 120m @VGS = 10V 100V 2.3A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 2.3 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 1.8 A IDM 20 Pulsed Dra

 ..2. Size:417K  niko-sem
 pa210hva.pdf pdf_icon

PA210HVA

PA210HVA Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 100V 110m 2.8A G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V

 7.1. Size:434K  unikc
 pa210hv.pdf pdf_icon

PA210HVA

PA210HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 120m @VGS = 10V 100V 2.8A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 2.8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 2.3 A IDM 25 Pulsed Drai

 8.1. Size:782K  unikc
 pa210hk.pdf pdf_icon

PA210HVA

PA210HK Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 120m @VGS = 10V 100V 8.7A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 8.7 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.5 IDM 25 Pulsed Drai

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PA110BDA, PA110BL, PA110BV, PA203EMG, PA210BC, PA210BL, PA210HK, PA210HV, K2611, PA406EM, PA410BD, PA502FMG, PA504EM, PA504EV, PA606BMG, PA606HAG, PA610AD