PA606HAG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PA606HAG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
PA606HAG Datasheet (PDF)
pa606hag.pdf
PA606HAG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 55V 160m @VGS = 10V 1.8A TSOP- 06 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 55 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 1.8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 1.4 A IDM 11 Pulsed Drain Curr
pa606bmg.pdf
PA606BMG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 55V 180m @VGS = 10V 1.6A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 55 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 1.6 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 1 A IDM 11 Pulsed Drain Current
Другие MOSFET... PA210HV , PA210HVA , PA406EM , PA410BD , PA502FMG , PA504EM , PA504EV , PA606BMG , IRFP064N , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , PA610DTF , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ .
History: PA610ATF
History: PA610ATF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238



