Справочник MOSFET. PA610DTF

 

PA610DTF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PA610DTF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PA610DTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  unikc
 pa610dtf.pdf pdf_icon

PA610DTF

PA610DTFP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200m @VGS = -10V -100V -10ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-10IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-8AIDM-40Pulsed Dr

 8.1. Size:540K  unikc
 pa610dd.pdf pdf_icon

PA610DTF

PA610DDP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200m @VGS = -10V-100V -10ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C-10IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-8AIDM-28Pulsed Drain

 9.1. Size:380K  unikc
 pa610ad.pdf pdf_icon

PA610DTF

PA610ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID160m @VGS = 10V100V 12ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C12IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C7AIDM40Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 24EA

 9.2. Size:532K  unikc
 pa610atf.pdf pdf_icon

PA610DTF

PA610ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID160m @VGS = 10V100V 8ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.4AIDM32Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 8E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4

 

 
Back to Top

 


 
.