Справочник MOSFET. PA610DTF

 

PA610DTF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PA610DTF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для PA610DTF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PA610DTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  unikc
 pa610dtf.pdf pdf_icon

PA610DTF

PA610DTFP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200m @VGS = -10V -100V -10ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-10IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-8AIDM-40Pulsed Dr

 8.1. Size:540K  unikc
 pa610dd.pdf pdf_icon

PA610DTF

PA610DDP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200m @VGS = -10V-100V -10ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -100VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C-10IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-8AIDM-28Pulsed Drain

 9.1. Size:380K  unikc
 pa610ad.pdf pdf_icon

PA610DTF

PA610ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID160m @VGS = 10V100V 12ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C12IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C7AIDM40Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 24EA

 9.2. Size:532K  unikc
 pa610atf.pdf pdf_icon

PA610DTF

PA610ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID160m @VGS = 10V100V 8ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.4AIDM32Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 8E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PA502FMG , PA504EM , PA504EV , PA606BMG , PA606HAG , PA610AD , PA610ATF , PA610DD , IRF3205 , PA610NV , PB5A2BA , PB5G2JU , PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA .

History: AM4438N | IPD040N03L | AP04N70BP-A | DMG6402LDM | HUFA75842P3 | FHD80N07C | IXFH28N50Q

 

 
Back to Top

 


 
.