PB210BI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PB210BI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PB210BI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB210BI даташит

 ..1. Size:484K  unikc
 pb210bi.pdf pdf_icon

PB210BI

PB210BI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 230m @VGS = 10V 100V 9A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 6 A IDM 14 Pulsed Drain Current

 8.1. Size:383K  unikc
 pb210bd.pdf pdf_icon

PB210BI

PB210BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 230m @VGS = 10V 100V 10A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 10 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 6 A IDM 40 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 18 EA

 8.2. Size:372K  unikc
 pb210btf.pdf pdf_icon

PB210BI

PB210BTF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 230m @VGS = 10V 8A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 8 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 18 E

 8.3. Size:456K  unikc
 pb210bv.pdf pdf_icon

PB210BI

PB210BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 230m @VGS = 10V 100V 2.1A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 2.1 ID Continuous Drain Current1 TA = 70 C 1.7 A IDM 17 Pulsed Drain Curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PE5A0DZ, PE5A1BA, PE5G6EA, PK5A1BA, PK5C8EA, PK5G6EA, PB210BC, PB210BD, IRFB4110, PB210BM, PB210BTF, PB210BV, PB210HV, PK510BA, PK512BA, PK516BA, PK527BA