Справочник MOSFET. PB210BI

 

PB210BI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PB210BI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для PB210BI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB210BI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:484K  unikc
 pb210bi.pdf pdf_icon

PB210BI

PB210BIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 9ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain Current2TC = 100 C6AIDM14Pulsed Drain Current

 8.1. Size:383K  unikc
 pb210bd.pdf pdf_icon

PB210BI

PB210BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 10ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C6AIDM40Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 18EA

 8.2. Size:372K  unikc
 pb210btf.pdf pdf_icon

PB210BI

PB210BTF N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 230m @VGS = 10V 8ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 18E

 8.3. Size:456K  unikc
 pb210bv.pdf pdf_icon

PB210BI

PB210BVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID230m @VGS = 10V100V 2.1ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C2.1IDContinuous Drain Current1TA = 70 C1.7AIDM17Pulsed Drain Curre

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PE5A0DZ , PE5A1BA , PE5G6EA , PK5A1BA , PK5C8EA , PK5G6EA , PB210BC , PB210BD , IRF640N , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , PK510BA , PK512BA , PK516BA , PK527BA .

History: FIR6N65FG | 2SJ78 | HY3215M | UF830G-TN3-R | OSG60R099HF | NCE70N900K | 2SK4019

 

 
Back to Top

 


 
.