PK512BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PK512BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 93 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 369 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PK512BA Datasheet (PDF)
pk512ba.pdf

PK512BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID22.8m @VGS = 10V30V 93APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C93IDContinuous Drain Current2TC = 100 C59IDM150Pulsed Drain Curr
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: KP780V | AO6804A | APM4550K | LSE60R092GT | WMJ38N60C2 | SSM90T03GP | IXTK100N25P
History: KP780V | AO6804A | APM4550K | LSE60R092GT | WMJ38N60C2 | SSM90T03GP | IXTK100N25P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet