PK527BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK527BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 252 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK527BA
PK527BA Datasheet (PDF)
pk527ba.pdf

PK527BAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID14m @VGS = -10V-30V -31APDFN 5X6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30 VVGSGate-Source Voltage 25 VTC = 25 C-31TC = 100 C-20IDContinuous Drain CurrentTA = 25
Другие MOSFET... PB210BI , PB210BM , PB210BTF , PB210BV , PB210HV , PK510BA , PK512BA , PK516BA , AON6414A , PK552DX , PK600BA , PK608BA , PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA .
History: SI4890BDY | SI4914BDY | VS3640AS | IXTM20N60
History: SI4890BDY | SI4914BDY | VS3640AS | IXTM20N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r