PB554DY datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PB554DY 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 283 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: DFN2X5
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PB554DY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PB554DY даташит
pb554dy.pdf
PB554DY Dual Common Drain N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 10m @VGS = 4.5V 20V 12A PDFN 2X5 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 10 TA = 25 C 12 ID Continuous Drain Current3 TA = 70 C 9.8 A IDM 40 Pulsed Drain Curr
Другие IGBT... PK516BA, PK527BA, PK552DX, PK600BA, PK608BA, PK608DY, PB544DU, PB544JU, IRF9540, PB555BA, PB560DZ, PB600BA, PB606BA, PE504BA, PE506BA, PE507BA, PE521BA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet

