Справочник MOSFET. PE504BA

 

PE504BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE504BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PE504BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  unikc
 pe504ba.pdf pdf_icon

PE504BA

PE504BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10m @VGS = 10V30V 31APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C31Tc = 100 C20IDContinuous Drain CurrentTA = 25 C12ATA= 70 C9IDM70Pulsed Drain C

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CS12N10 | WSD20L50DN | NDT6N70 | 2SK2901-01S | DMS3012SFG | IPD50R280CE | 2SK937

 

 
Back to Top

 


 
.