Справочник MOSFET. PE504BA

 

PE504BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE504BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE504BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE504BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  unikc
 pe504ba.pdf pdf_icon

PE504BA

PE504BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10m @VGS = 10V30V 31APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C31Tc = 100 C20IDContinuous Drain CurrentTA = 25 C12ATA= 70 C9IDM70Pulsed Drain C

Другие MOSFET... PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , IRF1010E , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , PE529BA , PE532DY , PE534BA .

History: CMRDM3590 | MMQ60R115PTH | PSMN5R0-100PS | VBE1638 | IRF540ZSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.