PE504BA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PE504BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
Аналог (замена) для PE504BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PE504BA даташит
pe504ba.pdf
PE504BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 10m @VGS = 10V 30V 31A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V Tc = 25 C 31 Tc = 100 C 20 ID Continuous Drain Current TA = 25 C 12 A TA= 70 C 9 IDM 70 Pulsed Drain C
Другие MOSFET... PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , IRF9540N , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , PE529BA , PE532DY , PE534BA .
History: WVM6N100
History: WVM6N100
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor

