PE504BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PE504BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
Аналог (замена) для PE504BA
PE504BA Datasheet (PDF)
pe504ba.pdf
PE504BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10m @VGS = 10V30V 31APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C31Tc = 100 C20IDContinuous Drain CurrentTA = 25 C12ATA= 70 C9IDM70Pulsed Drain C
Другие MOSFET... PK608DY , PB544DU , PB544JU , PB554DY , PB555BA , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , IRF9540N , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , PE529BA , PE532DY , PE534BA .
History: CM8N65F | CM8N60F | CS13N50FA9D | DMG6968U-7
History: CM8N65F | CM8N60F | CS13N50FA9D | DMG6968U-7
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor


