PE521BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PE521BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE521BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 179 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE521BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE521BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  unikc
 pe521ba.pdf pdf_icon

PE521BA

PE521BAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -4.5V-20V -23APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8Tc = 25 C-23Tc = 100 C-18IDContinuous Drain Current3TA = 25

 ..2. Size:239K  niko-sem
 pe521ba.pdf pdf_icon

PE521BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE521BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3PHalogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID GG : GATE -20V 20m -23A D : DRAIN S : SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -20 VGate-So

Другие MOSFET... PB554DY , PB555BA , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , PE504BA , PE506BA , PE507BA , IRFP260 , PE526BA , PE528BA , PE529BA , PE532DY , PE534BA , PE534SA , PE537BA , PE544JZ .

History: SWSI4N60DA | PE506BA

 

 
Back to Top

 


 
.