PE526BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PE526BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 354 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
Аналог (замена) для PE526BA
PE526BA Datasheet (PDF)
pe526ba.pdf
PE526BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID34m @VGS = 10V30V 49APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTc = 25 C49Tc = 100 C31IDContinuous Drain Current3TA = 25 C17ATA= 70
Другие MOSFET... PB555BA , PB560DZ , PB600BA , PB606BA , PE504BA , PE506BA , PE507BA , PE521BA , K3569 , PE528BA , PE529BA , PE532DY , PE534BA , PE534SA , PE537BA , PE544JZ , PE548BA .
History: PE532DY | CS100N08A8
History: PE532DY | CS100N08A8
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a


