Справочник MOSFET. PE529BA

 

PE529BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PE529BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 429 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P

 Аналог (замена) для PE529BA

 

 

PE529BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  unikc
 pe529ba.pdf

PE529BA PE529BA

PE529BAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = -4.5V-20V -34APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8Tc = 25 C-34Tc = 100 C-21IDContinuous Drain Current3TA = 25

 ..2. Size:337K  niko-sem
 pe529ba.pdf

PE529BA PE529BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE529BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID 9.5m -34A -20V GG : GATE D : DRAIN S : SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -20

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top