PE529BA - описание и поиск аналогов

 

PE529BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE529BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 429 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE529BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE529BA даташит

 ..1. Size:538K  unikc
 pe529ba.pdf pdf_icon

PE529BA

PE529BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.5m @VGS = -4.5V -20V -34A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -20 V VGS Gate-Source Voltage 8 Tc = 25 C -34 Tc = 100 C -21 ID Continuous Drain Current3 TA = 25

 ..2. Size:337K  niko-sem
 pe529ba.pdf pdf_icon

PE529BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE529BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY D D D D V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.5m -34A -20V G G GATE D DRAIN S SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -20

Другие MOSFET... PB600BA , PB606BA , PE504BA , PE506BA , PE507BA , PE521BA , PE526BA , PE528BA , 4435 , PE532DY , PE534BA , PE534SA , PE537BA , PE544JZ , PE548BA , PE548EA , PE552BA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.