Справочник MOSFET. PE537BA

 

PE537BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE537BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 371 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PE537BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  unikc
 pe537ba.pdf pdf_icon

PE537BA

PE537BAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8.5m @VGS = -10V-30V -33APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C-33TC = 100 C-22IDContinuous Drain Current3TA = 25

 ..2. Size:431K  niko-sem
 pe537ba.pdf pdf_icon

PE537BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PE537BA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY D D D DV(BR)DSS RDS(ON) ID 9m -33A -30V GG : GATE D : DRAIN S : SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PH3120L | AP2306CGN-HF | AFN4134W | R6520KNZ1 | IRHYS597034CM | SWHA13N65K2 | APTC90SKM60CT1G

 

 
Back to Top

 


 
.