PE552BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PE552BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE552BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 469 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE552BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE552BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  unikc
 pe552ba.pdf pdf_icon

PE552BA

PE552BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID35m @VGS = 4.5V20V 47APDFN 3X3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8Tc = 25 C47Tc = 100 C30IDContinuous Drain Current3TA = 25 C15ATA = 70

 ..2. Size:427K  niko-sem
 pe552ba.pdf pdf_icon

PE552BA

PE552BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 D D D D20V 5m 47A GG : GATE D : DRAIN S : SOURCE S #1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source V

Другие MOSFET... PE529BA , PE532DY , PE534BA , PE534SA , PE537BA , PE544JZ , PE548BA , PE548EA , IRF1010E , PE600BA , PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , PE618DT .

History: PE537BA | MMDF3P03HDR

 

 
Back to Top

 


 
.