PE552BA - описание и поиск аналогов

 

PE552BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE552BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 469 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE552BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE552BA даташит

 ..1. Size:498K  unikc
 pe552ba.pdf pdf_icon

PE552BA

PE552BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 5m @VGS = 4.5V 20V 47A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 Tc = 25 C 47 Tc = 100 C 30 ID Continuous Drain Current3 TA = 25 C 15 A TA = 70

 ..2. Size:427K  niko-sem
 pe552ba.pdf pdf_icon

PE552BA

PE552BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 D D D D 20V 5m 47A G G GATE D DRAIN S SOURCE S #1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source V

Другие MOSFET... PE529BA , PE532DY , PE534BA , PE534SA , PE537BA , PE544JZ , PE548BA , PE548EA , IRF1010E , PE600BA , PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , PE618BA , PE618DT .

History: AF10N60S | NCEP0140AG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.