PE618BA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PE618BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 254 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
Аналог (замена) для PE618BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PE618BA даташит
pe618ba.pdf
PE618BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 10V 30V 40A PDFN 3X3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 Tc = 25 C 40 ID Continuous Drain Current2 Tc = 100 C 25 IDM 100 Pulsed Drain Current1
pe618ba.pdf
N-Channel Enhancement Mode PE618BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 30V 6m 40A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltag
pe618dt.pdf
PE618DT Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7m @VGS = 10V Q2 30V 39A 16m @VGS = 10V Q1 30V 23A PDFN 3X3S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 20 TC = 25 C 39 23 ID Continuous Drain Current3 TC
pe618dt.pdf
Dual N-Channel Enhancement Mode PE618DT NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1 G1 Q2 30V 7m 39 2,3,4 D1 5,6,7 S2 Q1 30V 16m 23 8 G2 9 S1/D2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 30 V Gate-
Другие MOSFET... PE548EA , PE552BA , PE600BA , PE601CA , PE606BA , PE610SA , PE614DX , PE616BA , STP80NF70 , PE618DT , PE632BA , PE636BA , PE642DT , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent




