Справочник MOSFET. APM4008NG

 

APM4008NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APM4008NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для APM4008NG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM4008NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  anpec
apm4008ng.pdfpdf_icon

APM4008NG

APM4008NGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/60A,RDS(ON)=6.5m (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=10m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell DesignD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS G SCompliant) Top View of TO-263DApplications Power Management in LCD monitor/TVGSN-Channel MOSFETOrdering and Marking Infor

 6.1. Size:231K  anpec
apm4008nu.pdfpdf_icon

APM4008NG

APM4008NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/60A,RDS(ON)=6.5m (typ.) @ VGS=10VG DRDS(ON)=10.5m (typ.) @ VGS=4.5VS Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHSDCompliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer orDC/DC ConvertersSN-Channel MOSFET

 9.1. Size:202K  anpec
apm4050pu.pdfpdf_icon

APM4008NG

APM4050PUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -40V/-25A, RDS(ON)=33m (typ.) @ VGS=-10VG D RDS(ON)=47m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell DesignS Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHSSCompliant)ApplicationsG Power Management in LCD/TV InverterDP-Channel MOSFETOrdering and Mar

 9.2. Size:206K  anpec
apm4018nu.pdfpdf_icon

APM4008NG

APM4018NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/60A,DRDS(ON)=6.5m (typ.) @ VGS=10VGRDS(ON)=9.5m (typ.) @ VGS=4.5VS Super High Dense Cell Design Top View of TO-252-3 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)GApplications Power Management in Desktop Computer orSDC/DC ConvertersN-Channel MOSFETO

Другие MOSFET... PE616BA , PE618BA , PE618DT , PE632BA , PE636BA , PE642DT , APM2318A , APM3055L , P0903BDG , APM4008NU , APM4010NU , APM4012NU , APM4015K , APM4015PU , APM4017PU , APM4018NU , APM4030ANU .

History: HGN170A10AL | 18P10E | CST30N10P | CEP75N10 | SM2306 | IPD25DP06NM | FC4B22070L

 

 
Back to Top

 


 
.