Справочник MOSFET. APM4015K

 

APM4015K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APM4015K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для APM4015K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM4015K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  anpec
apm4015k.pdfpdf_icon

APM4015K

APM4015K P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD -40V/-7.5A, DDRDS(ON)=18m (typ.) @ VGS=-10VRDS(ON)=25m (typ.) @ VGS=-4.5VSSS Super High Dense Cell DesignG Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available( 1, 2, 3 ) (RoHS Compliant)S S SApplications(4)G Power Management in LCD TV InverterD D D D

 7.1. Size:201K  anpec
apm4015pu.pdfpdf_icon

APM4015K

APM4015PUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -40V/-45A, RDS(ON)= 13m (typ.) @ VGS=-10VG D RDS(ON)= 19m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell DesignS Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHSSCompliant)ApplicationsG Power Management in LCD TV InverterDP-Channel MOSFETOrdering and M

 7.2. Size:1433K  kexin
apm4015pu.pdfpdf_icon

APM4015K

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET APM4015PU Typical CharacterisiticsDrain CurrentPower Dissipation60 50504040303020201010TC=25oC,VG=-10VTC=25oC0 00 20 40 60 80 100 120 140 160 180 0 20 40 60 80 100 120 140 160Tj - Junction Temperature (C)Tj - Junction Temperature (C)Safe Operation AreaThermal Transient Impedance2200Duty = 0.

 8.1. Size:206K  anpec
apm4018nu.pdfpdf_icon

APM4015K

APM4018NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/60A,DRDS(ON)=6.5m (typ.) @ VGS=10VGRDS(ON)=9.5m (typ.) @ VGS=4.5VS Super High Dense Cell Design Top View of TO-252-3 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)GApplications Power Management in Desktop Computer orSDC/DC ConvertersN-Channel MOSFETO

Другие MOSFET... PE636BA , PE642DT , APM2318A , APM3055L , APM4008NG , APM4008NU , APM4010NU , APM4012NU , SKD502T , APM4015PU , APM4017PU , APM4018NU , APM4030ANU , APM4030NU , APM4034NU , APM4048ADU4 , APM4048DU4 .

History: IRF2807PBF | AOT2502L | SSW65R099S2E | 11NM70L-TF3-T | STP6N60M2 | MTM76111 | 2SK2688-01L

 

 
Back to Top

 


 
.