Справочник MOSFET. APM4820K

 

APM4820K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APM4820K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для APM4820K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM4820K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  anpec
apm4820k.pdfpdf_icon

APM4820K

APM4820KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/11A,DDRDS(ON) =12m(Typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) =18m(Typ.) @ VGS = 4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green Devices Available(5,6,7,8)D D D D(RoHS Compliant)Applications(4) G Power Management in Notebook Computer,Portable Equipmen

 8.1. Size:218K  anpec
apm4828k.pdfpdf_icon

APM4820K

APM4828KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD 30V/12A,DRDS(ON) =12m(Max.) @ VGS =10VSRDS(ON) =18m(Max.) @ VGS =4.5VSS Super High Dense Cell DesignG Avalanche RatedSOP-8 Reliable and Rugged(5,6,7,8)D D D D Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)(4) GApplications Power Management in Notebook Computer,a

 8.2. Size:185K  anpec
apm4826k.pdfpdf_icon

APM4820K

APM4826KN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/11A,DDRDS(ON) =9.5m(Typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) =13.5m(Typ.) @ VGS = 4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Avalanche RatedSOP-8 Reliable and Rugged(5,6,7,8)D D D D Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications (4) G Power Management in Notebook Computer

 8.3. Size:835K  cn vbsemi
apm4828kc-trl.pdfpdf_icon

APM4820K

APM4828KC-TRLwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switc

Другие MOSFET... 2SK3096 , APM4568J , APM4568K , APM4588K , APM4800 , APM4804K , APM4810K , APM4812K , RFP50N06 , APM4826K , APM4828K , APM4835 , APM4904K , APM4906K , APM4910K , APM4925 , APM4925K .

 

 
Back to Top

 


 
.