Справочник MOSFET. APM8001K

 

APM8001K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APM8001K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APM8001K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  anpec
apm8001k.pdfpdf_icon

APM8001K

APM8001KDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1 80V/4.1A,D2D2 RDS(ON) =55m(Typ.) @ VGS = 10VS1 Reliable and RuggedG1S2 Lead Free and Green Devices AvailableG2 (RoHS Compliant)SOP-8D1 D1 D2 D2ApplicationsG1 G2 Power Management in DC/DC Converter, DC/ AC Inverter Systems.S1 S2N-Channel MOSFETOrdering and Marking Info

 8.1. Size:229K  anpec
apm8005k.pdfpdf_icon

APM8001K

APM8005KDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1 80V/4.7A,D2D2RDS(ON) =45m (Typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) =55m (Typ.) @ VGS = 5VS1G1 Reliable and RuggedS2G2 Lead Free and Green Devices AvailableSOP-8 (RoHS Compliant)D1 D1 D2 D2Applications LED Application System.G1 G2S1 S2N-Channel MOSFETOrdering and Marking Informati

 9.1. Size:542K  sino
apm8010k.pdfpdf_icon

APM8001K

APM8010K N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD 80V/5A,D RDS(ON) =57m(Max.) @ VGS = 10V Reliable and RuggedSSS Lead Free and Green Devices AvailableG (RoHS Compliant)Top View of SOP-8( 5,6,7,8 )D D D DApplications LED TV Application.(4)GS S S(1, 2, 3)N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationAPM8010 Packa

 9.2. Size:1488K  cn vbsemi
apm8010kc.pdfpdf_icon

APM8001K

APM8010KCwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 6.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses100 23 nC0.047 at VGS = 8 V 5.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONSSO

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: RFP10N12 | HAT3021R | IAUC100N10S5N040 | STU601S | RU1Z120R | SQ3457EV | 12N60G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.