Справочник MOSFET. APM9435K

 

APM9435K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APM9435K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для APM9435K

 

 

APM9435K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  anpec
 apm9435k.pdf

APM9435K APM9435K

APM9435K P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD -30V/-4.6A , DD RDS(ON)=52m(typ.) @ VGS=-10V RDS(ON)=80m(typ.) @ VGS=-4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)( 1, 2, 3 )S S SApplications(4) Power Management in Notebook Computer,

 ..2. Size:1488K  kexin
 apm9435k.pdf

APM9435K APM9435K

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAPM9435K (APM9435KC)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-4.6 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 52m (VGS =-10V) RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source47 Drain3 SourceG8 Drain4 Gate5 162738 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vo

 0.1. Size:805K  cn vbsemi
 apm9435kc.pdf

APM9435K APM9435K

APM9435KCwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop

 7.1. Size:154K  anpec
 apm9435.pdf

APM9435K APM9435K

APM9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4.6A, RDS(ON) = 52m(typ.) @ VGS = -10VS 1 8 DRDS(ON) = 80m(typ.) @ VGS = -4.5VS 2 7 D Super High Density Cell DesignS 3 6 D Reliable and RuggedG 45 D SO-8 Package SO - 8ApplicationsS S S Power Management in Noteboo

 8.1. Size:157K  anpec
 apm9430.pdf

APM9435K APM9435K

APM9430 N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/4A, RDS(ON) = 40m(typ.) @ VGS = 4.5VS 1 8 D RDS(ON) = 110m(typ.) @ VGS = 2.5VS 2 7 D Super High Density Cell DesignS 3 6 D Reliable and RuggedG 45 D SO-8 Package SO - 8D D D DApplications Power Management in Notebook

 8.2. Size:141K  anpec
 apm9430k.pdf

APM9435K APM9435K

APM9430K N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/4A , DDDRDS(ON)=40m(typ.) @ VGS=4.5VDRDS(ON)=110m(typ.) @ VGS=2.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )D D D DApplications

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top