Справочник MOSFET. 2SK3082S

 

2SK3082S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3082S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3082S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  inchange semiconductor
2sk3082s.pdfpdf_icon

2SK3082S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3082SFEATURESDrain Current : I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 75m(Max)@ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid

 0.1. Size:91K  renesas
2sk3082s-l.pdfpdf_icon

2SK3082S

2SK3082(L), 2SK3082(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1065-0300 (Previous: ADE-208-637A) Rev.3.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.055 typ. High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-A RENESAS Package code: PRSS0004AE-B(Package name: L

 0.2. Size:93K  renesas
2sk3082stl.pdfpdf_icon

2SK3082S

2SK3082(L), 2SK3082(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1065-0300 (Previous: ADE-208-637A) Rev.3.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.055 typ. High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0004AE-A RENESAS Package code: PRSS0004AE-B(Package name: L

 7.1. Size:108K  renesas
rej03g1065 2sk3082lsds.pdfpdf_icon

2SK3082S

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.