Справочник MOSFET. APM9966

 

APM9966 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APM9966
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для APM9966

 

 

APM9966 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  anpec
 apm9966.pdf

APM9966 APM9966

APM9966/CDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Applications SOP-8 Power Management in Notebook Computer ,20V/6A , RDS(ON)=19m(typ.) @ VGS=4.5V Portable Equipment and Battery PoweredRDS(ON)=27m(typ.) @ VGS=2.5V Systems.TSSOP-820V/6A , RDS(ON)=21m(typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)=29m(typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely

 0.1. Size:144K  anpec
 apm9966co.pdf

APM9966 APM9966

APM9966CODual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS(ON) =20m(typ.) @ VGS =4.5V RDS(ON) =25m(typ.) @ VGS =2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)Top View of TSSOP - 8(1) (8)D1 D2Applications(5)(4)G1 G2 P

 0.2. Size:177K  anpec
 apm9966c.pdf

APM9966 APM9966

APM9966/CDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Applications SOP-8 Power Management in Notebook Computer ,20V/6A , RDS(ON)=19m(typ.) @ VGS=4.5V Portable Equipment and Battery PoweredRDS(ON)=27m(typ.) @ VGS=2.5V Systems.TSSOP-820V/6A , RDS(ON)=21m(typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)=29m(typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely

 8.1. Size:166K  anpec
 apm9968c.pdf

APM9966 APM9966

APM9968CN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A , RDS(ON)=16m(typ.) @ VGS=4.5V D 1 8 DS1 2 7 S2RDS(ON)=20m(typ.) @ VGS=2.5VS1 3 6 S2 Super High Dense Cell Design for Extremely G1 4 5 G2Low RDS(ON) Reliable and RuggedTSSOP-8 TSSOP-8 PackagesD DApplicationsG1 G2

 8.2. Size:142K  anpec
 apm9968co.pdf

APM9966 APM9966

APM9968CODual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A , RDS(ON)=16m(typ.) @ VGS=4.5VRDS(ON)=20m(typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for ExtremelyLow RDS(ON) Reliable and Rugged TSSOP-8 PackagesTop View of TSSOP - 8 Lead Free Available (RoHS Compliant)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top