SI2314. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI2314
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SI2314
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI2314 даташит
si2314.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd Si2314 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.033 @ VGS = 4.5 V 4.9 0.040 @ VGS = 2.5 V 4.4 20 0.051 @ VGS = 1.8 V 3.9 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View Si2314 (AEXT) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V
si2314ed.pdf
Si2314EDS Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.033 at VGS = 4.5 V 4.9 TrenchFET Power MOSFET 0.040 at VGS = 2.5 V 20 4.4 ESD Protected 3000 V 0.051 at VGS = 1.8 V 3.9 APPLICATIONS LI-lon Battery Protection TO-236 D (SOT-23) G 1 3 D 3
si2314eds.pdf
Si2314EDS Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D ESD Protected 3000 V D RoHS Compliant Pb-free 0.033 @ VGS = 4.5 V 4.9 Available APPLICATIONS 0.040 @ VGS = 2.5 V 4.4 20 0.051 @ VGS = 1.8 V 3.9 D LI-lon Battery Protection D TO-236 (SOT-23) G 1 3 D 3 kW G S 2 Top View Si2314EDS (C4)* S
si2314eds.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET SI2314EDS (KI2314EDS) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 Features +0.1 0.4-0.1 VDS (V) = 20V 3 ID = 4.9 A (VGS = 4.5V) RDS(ON) 33m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 40m (VGS = 2.5V) 1 2 D +0.1 +0.05 RDS(ON) 51m (VGS = 1.8V) 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9-0.1 G 1 3 k 1.Gate G 3 D 2.Source 3.Drai
Другие MOSFET... SI2303 , SI2304 , SI2305B , SI2307 , SI2308 , SI2309 , SI2310 , SI2313 , 20N50 , SI2315 , SI2319 , SI2323 , SI2328 , SIA519 , XP151A13AO , XP152A12CO , 20N06 .
History: SI2308
History: SI2308
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130






