SI2328 - описание и поиск аналогов

 

SI2328. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI2328

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SI2328

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2328 даташит

 ..1. Size:298K  shenzhen
si2328.pdfpdf_icon

SI2328

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd Si2328 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 100 0.300 @ VGS = 10 V 1.5 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View Si2328DS (D8)* *Marking Code ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol 5 sec Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS "20 Con

 ..2. Size:1931K  born
si2328.pdfpdf_icon

SI2328

SI2328 MOSFET ROHS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23 - Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance MAXIMUM RANTINGS Characteristic Symbol Max Unit 100 Drain-Source Voltage BV V DSS Gate- Source Voltage V V GS +20 Drain Current (continuous) I 1.5 A D Drain Current (pulsed) I A DM 6 Total Device Dissipa

 0.1. Size:184K  vishay
si2328ds.pdfpdf_icon

SI2328

Si2328DS Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.250 at VGS = 10 V 100 1.5 100 % Rg Tested TrenchFET Power MOSFET TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View Si2328DS (D8)* *Marking Code Ordering Information Si2328DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free) Si2328DS-

 0.2. Size:1626K  kexin
si2328ds.pdfpdf_icon

SI2328

SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET SI2328DS (KI2328DS) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) = 100V ID = 1.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 250m (VGS = 4.5V) 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 G 1 1.Gate 3 D 2.Source S 2 3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State Un

Другие MOSFET... SI2308 , SI2309 , SI2310 , SI2313 , SI2314 , SI2315 , SI2319 , SI2323 , IRFZ24N , SIA519 , XP151A13AO , XP152A12CO , 20N06 , 60N03 , 70N03 , 90N03 , SSS10N60 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.