Справочник MOSFET. G2009K

 

G2009K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: G2009K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для G2009K

 

 

G2009K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1908K  goford
 g2009k.pdf

G2009K G2009K

GOFORDG2009KDescription uses advanced trench technology and The G2009K design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @10V (typ) 200V 260m 9A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

 9.1. Size:1073K  goford
 g2009.pdf

G2009K G2009K

GOFORDG2009Description The 2009 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @10V (typ) 200V 260m 9A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Low g

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTTD4401FR2 | HM4437 | IXFX64N60P

 

 
Back to Top