6706A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 6706A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
6706A Datasheet (PDF)
6706a.pdf

GOFORD6706ADescription The 6706A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used to form a level shifted high side switch,and for a host of other applications. General Features N-Channel VDSS RDS(ON) IDN-channel P-channel @10V (typ)Schematic diagram m 6.5A30V 20 P-Channel VDSS RDS(ON) ID
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S
History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet