G3205 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: G3205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 671.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для G3205
G3205 Datasheet (PDF)
g3205.pdf

GOFORDG3205Description Features VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 6.8m 110A55V Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Application UPS High efficiency switch mode power supplies Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Max. Symbol Parameter Units TO-220 V Drain-Source Voltage 55 V DSSV Gate
Другие MOSFET... 60N04 , 6706A , 68P40 , 80N03 , 80N04 , 80N08TR , 8205A , 8205B , AO4468 , G1010 , G3710 , 5N20A , 630A , 640 , 18N20 , 18N20A , 2N25 .
History: ZXMS6005DGQ-13 | PS04P30SA | APT34N80LC3G | CS4486 | NTTFS1D2N02P1E | KIA50N03-220 | G1815
History: ZXMS6005DGQ-13 | PS04P30SA | APT34N80LC3G | CS4486 | NTTFS1D2N02P1E | KIA50N03-220 | G1815



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet