Справочник MOSFET. G3205

 

G3205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G3205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 671.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G3205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2297K  goford
 g3205.pdf pdf_icon

G3205

GOFORDG3205Description Features VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 6.8m 110A55V Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability Application UPS High efficiency switch mode power supplies Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specified Max. Symbol Parameter Units TO-220 V Drain-Source Voltage 55 V DSSV Gate

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: J310G | MMF60R290PTH | GSM6530S | HCU60R580 | SVF10N60S | AP9962GJ | PMPB30XPE

 

 
Back to Top

 


 
.