Справочник MOSFET. 2SK1363

 

2SK1363 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1363
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: SC65
 

 Аналог (замена) для 2SK1363

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1363 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  toshiba
2sk1363.pdfpdf_icon

2SK1363

 8.1. Size:58K  toshiba
2sk1362.pdfpdf_icon

2SK1363

CopyRight 2003 CopyRight 2003

 8.2. Size:398K  toshiba
2sk1365.pdfpdf_icon

2SK1363

2SK1365 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSII.5) 2SK1365 Switching Power Supply Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 1.5 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 300 A (max) (VDS = 800 V) Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abso

 9.1. Size:135K  toshiba
2sk1310.pdfpdf_icon

2SK1363

Другие MOSFET... SVD2N60T , SVD2N60D , IPP15N03L , IPB15N03L , FTP10N40 , FTA10N40 , 2SK725 , 2SK793 , IRF9540N , 2SK2196 , 2SK2806-01 , 2SK3455 , 2SK3455B , 2SK3534-01MR , 2SK3674-01L , 2SK3674-01S , 2SK3674-01SJ .

History: VBI1322 | AP4P013LEP | AP4426GM-HF | CS6768 | HMS11N60I | HMS3205 | SVD50N06MJ

 

 
Back to Top

 


 
.