Справочник MOSFET. FTK8N80DD

 

FTK8N80DD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK8N80DD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для FTK8N80DD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK8N80DD Datasheet (PDF)

 7.1. Size:272K  first silicon
 ftk8n80p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N80DD

SEMICONDUCTORFTK8N80P/D/DDTECHNICAL DATA8.0 Amps, 800 Volts N-Channel MOS-FETDESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superior TO-220switching performance,and Withstand high energy pulsein

 9.1. Size:579K  first silicon
 ftk8n65p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N80DD

SEMICONDUCTORFTK8N65P / F / DDTECHNICAL DATA8.0 Amps, 650 VoltsN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superiorTO-220switching performance,and Withstand high energy pul

Другие MOSFET... FTK10N60F , FTK10N60P , FTK8810 , FTK8810L , FTK8822 , FTK8N65DD , FTK8N65F , FTK8N65P , 75N75 , FTK8N80F , FTK8N80P , FTK9435 , FTK9926 , FTK80N03D , FTK80N08 , FTK80N10P , FTK8205A .

History: IXFP80N25X3 | AP2910EC4 | WFW24N50N | PHK5NQ15T | AP4953M | AP50T10GI | IRFH8325PBF

 

 
Back to Top

 


 
.