Справочник MOSFET. FTK830F

 

FTK830F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK830F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FTK830F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK830F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:262K  first silicon
 ftk830 ftk830p f d i.pdf pdf_icon

FTK830F

SEMICONDUCTORFTK830P / F / D / ITECHNICAL DATAPower MOSFET5A, 500V, 1.5 ,N-CHANNEL POWER MOSFETI :1TO - 251DESCRIPTIOND :1The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETTO - 252is designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.P :1TO - 220

Другие MOSFET... FTK8N80P , FTK9435 , FTK9926 , FTK80N03D , FTK80N08 , FTK80N10P , FTK8205A , FTK830P , RU6888R , FTK830I , FTK830D , FTK84 , FTK840P , FTK840F , FTK84D , FTK7N60DD , FTK7N60F .

History: P1604ET | ME4413D-G | DMG6402LDM | RQ3E070BN | IPD040N03L | AOWF600A70 | IPB65R420CFD

 

 
Back to Top

 


 
.