Справочник MOSFET. FTK2N60I

 

FTK2N60I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK2N60I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для FTK2N60I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK2N60I Datasheet (PDF)

 7.1. Size:295K  first silicon
 ftk2n60p f d i.pdf pdf_icon

FTK2N60I

SEMICONDUCTORFTK2N60P / F / D / ITECHNICAL DATA2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET I :1TO - 251DESCRIPTIONThe FTK 2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to D :have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1TO - 252charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high sp

 8.1. Size:340K  first silicon
 ftk2n65p f d i.pdf pdf_icon

FTK2N60I

SEMICONDUCTORFTK2N65P / F / D / ITECHNICAL DATA2 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectTransistors are produced using planar stripe, DMOSI :technology.1This advanced technology has been especially tailoredTO - 251to minimize on - state resistance , provide superiorswitching performance,and Withstand high energy

Другие MOSFET... FTK1N60P , FTK1N60F , FTK1N60D , FTK1N60I , FTK1N60T , FTK1N60L , FTK2N60D , FTK2N60F , 10N65 , FTK2N60P , FTK2N65D , FTK2N65F , FTK2N65I , FTK2N65P , FTK4N60D , FTK4N60F , FTK4N60I .

History: SVSP11N70FJHD2 | 2SK3024 | PJX138K | RQA0008NXAQS | BRCS30N10DP | SL4407A | AP9408AGM

 

 
Back to Top

 


 
.