FTK2N65D - аналоги и даташиты транзистора

 

FTK2N65D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FTK2N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK2N65D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:340K  first silicon
 ftk2n65p f d i.pdf pdf_icon

FTK2N65D

SEMICONDUCTORFTK2N65P / F / D / ITECHNICAL DATA2 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectTransistors are produced using planar stripe, DMOSI :technology.1This advanced technology has been especially tailoredTO - 251to minimize on - state resistance , provide superiorswitching performance,and Withstand high energy

 8.1. Size:295K  first silicon
 ftk2n60p f d i.pdf pdf_icon

FTK2N65D

SEMICONDUCTORFTK2N60P / F / D / ITECHNICAL DATA2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET I :1TO - 251DESCRIPTIONThe FTK 2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to D :have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1TO - 252charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high sp

Другие MOSFET... FTK1N60D , FTK1N60I , FTK1N60T , FTK1N60L , FTK2N60D , FTK2N60F , FTK2N60I , FTK2N60P , P0903BDG , FTK2N65F , FTK2N65I , FTK2N65P , FTK4N60D , FTK4N60F , FTK4N60I , FTK4N60P , FTK4N65D .

History: IRF830ASTRL

 

 
Back to Top

 


 
.