FTK2N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FTK2N65D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
Тип корпуса: TO252
FTK2N65D Datasheet (PDF)
ftk2n65p f d i.pdf

SEMICONDUCTORFTK2N65P / F / D / ITECHNICAL DATA2 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectTransistors are produced using planar stripe, DMOSI :technology.1This advanced technology has been especially tailoredTO - 251to minimize on - state resistance , provide superiorswitching performance,and Withstand high energy
ftk2n60p f d i.pdf

SEMICONDUCTORFTK2N60P / F / D / ITECHNICAL DATA2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET I :1TO - 251DESCRIPTIONThe FTK 2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to D :have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1TO - 252charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high sp
Другие MOSFET... FTK1N60D , FTK1N60I , FTK1N60T , FTK1N60L , FTK2N60D , FTK2N60F , FTK2N60I , FTK2N60P , P0903BDG , FTK2N65F , FTK2N65I , FTK2N65P , FTK4N60D , FTK4N60F , FTK4N60I , FTK4N60P , FTK4N65D .
History: APT6035BVR
History: APT6035BVR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor