Справочник MOSFET. FTK2N65F

 

FTK2N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK2N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK2N65F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:340K  first silicon
 ftk2n65p f d i.pdf pdf_icon

FTK2N65F

SEMICONDUCTORFTK2N65P / F / D / ITECHNICAL DATA2 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectTransistors are produced using planar stripe, DMOSI :technology.1This advanced technology has been especially tailoredTO - 251to minimize on - state resistance , provide superiorswitching performance,and Withstand high energy

 8.1. Size:295K  first silicon
 ftk2n60p f d i.pdf pdf_icon

FTK2N65F

SEMICONDUCTORFTK2N60P / F / D / ITECHNICAL DATA2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET I :1TO - 251DESCRIPTIONThe FTK 2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to D :have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1TO - 252charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high sp

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: DE275-501N16A | 2SK2424 | 2SK4108 | CM20N50P | P0908ATF | JCS2N60MB | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.