FTK2N65I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK2N65I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для FTK2N65I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK2N65I даташит

 7.1. Size:340K  first silicon
 ftk2n65p f d i.pdf pdf_icon

FTK2N65I

SEMICONDUCTOR FTK2N65P / F / D / I TECHNICAL DATA 2 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect Transistors are produced using planar stripe, DMOS I technology. 1 This advanced technology has been especially tailored TO - 251 to minimize on - state resistance , provide superior switching performance,and Withstand high energy

 8.1. Size:295K  first silicon
 ftk2n60p f d i.pdf pdf_icon

FTK2N65I

SEMICONDUCTOR FTK2N60P / F / D / I TECHNICAL DATA 2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET I 1 TO - 251 DESCRIPTION The FTK 2N60 is a high voltage MOSFET and is designed to D have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1 TO - 252 charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high sp

Другие IGBT... FTK1N60T, FTK1N60L, FTK2N60D, FTK2N60F, FTK2N60I, FTK2N60P, FTK2N65D, FTK2N65F, 10N65, FTK2N65P, FTK4N60D, FTK4N60F, FTK4N60I, FTK4N60P, FTK4N65D, FTK4N65F, FTK4N65I