Справочник MOSFET. FTK4N65I

 

FTK4N65I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK4N65I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для FTK4N65I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK4N65I Datasheet (PDF)

 7.1. Size:381K  first silicon
ftk4n65p f d i.pdfpdf_icon

FTK4N65I

SEMICONDUCTORFTK4N65P/F/I/DTECHNICAL DATA4 Amps, 650 Volt Power MOSFETN-CHANNEL POWER MOSFETI :1TO - 251D :DESCRIPTION1TO - 252The FTK4N65 is a high voltage MOSFET and is designed tohave better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalancheP :characteristics. This power MOSFET is usually used

 8.1. Size:171K  first silicon
ftk4n60p f d i.pdfpdf_icon

FTK4N65I

SEMICONDUCTORFTK4N60P / F / D / ITECHNICAL DATAPower MOSFET4 Amps, 600 VoltI :N-CHANNEL POWER MOSFET1TO - 251D :DESCRIPTION1TO - 252The FTK 4N60 is a high voltage MOSFET and is designed tohave better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalancheP :characteristics. This power MOSFET is usua

 9.1. Size:398K  first silicon
ftk4n70p f d i.pdfpdf_icon

FTK4N65I

SEMICONDUCTORFTK4N70P/F/I/DTECHNICAL DATA4 Amps, 700 Volt Power MOSFETN-CHANNEL POWER MOSFETI :1TO - 251DESCRIPTIOND :1TO - 252The FTK4N70 is a high voltage MOSFET and is designed tohave better characteristics, such as fast switching time, low gatecharge, low on-state resistance and have a high rugged avalancheP :characteristics. This power MOSFET is usually used

Другие MOSFET... FTK2N65I , FTK2N65P , FTK4N60D , FTK4N60F , FTK4N60I , FTK4N60P , FTK4N65D , FTK4N65F , IRFB31N20D , FTK4N65P , FTK4N70D , FTK4N70F , FTK4N70I , FTK4N70P , FTK2005DFN23 , FTK2012 , FTK20N06D .

History: APT60M80L2VFRG | RJK2017DPP | SL2308 | NCE60N670K | QM3009S | BSC072N03LDG

 

 
Back to Top

 


 
.