2N7079 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N7079
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: TO254
2N7079 Datasheet (PDF)
2n7076.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2N7076DESCRIPTIONDrain Current I =28A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV D
Другие MOSFET... 2N7071 , 2N7072 , 2N7073 , 2N7074 , 2N7075 , 2N7076 , 2N7077 , 2N7078 , RFP50N06 , 2N7080 , 2N7081 , 2N7082 , 2N7085 , 2N7086 , 2N7100 , 2N7101 , 2N7102 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918