FTK4435 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FTK4435
Маркировка: Q4435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FTK4435 Datasheet (PDF)
ftk4435.pdf

SEMICONDUCTOR FTK4435TECHNICAL DATA DDESCRIPTION The FTK4435 uses advanced trench technology to Gprovide excellent RDS(ON), low gate charge .It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S Schematic diagramD D D DGENERAL FEATURES 7 6 5 8 VDS = -30V,ID = -9.1A RDS(ON)
ftk4438.pdf

SEMICONDUCTOR FTK4438TECHNICAL DATADESCRIPTION The FTK4438 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switchor in PWM applications.Schematic diagramD D D DGENERAL FEATURES 7 6 58 VDS = 60V, ID = 8.2A RDS(ON)
ftk4414.pdf

SEMICONDUCTOR FTK4414 TECHNICAL DATADDESCRIPTIONThe FTK4414 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagramGENERAL FEATURESD D D D VDS = 30V,ID = 8.5A 8 7 6 5RDS(ON)
ftk4410d.pdf

SEMICONDUCTORFTK4410DTECHNICAL DATAN-Channel MOSFET AIDESCRIPTIONCJThe FTK410D uses advanced trench te chnology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. DIM MILLIMETERSThis device is suitable for use as a load switch A 6 50 0 2B 5 60 0 2or in PWM applications. C 5 20 0 2D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAXI 2 30 0
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SRT06N095LMG | IRFR5410PBF | STP5NB40 | RFP15N06L | KHB5D0N50F2 | CMUDM7005 | 2SK3532
History: SRT06N095LMG | IRFR5410PBF | STP5NB40 | RFP15N06L | KHB5D0N50F2 | CMUDM7005 | 2SK3532



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor