Справочник MOSFET. FTK4435

 

FTK4435 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK4435
   Маркировка: Q4435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  first silicon
ftk4435.pdfpdf_icon

FTK4435

SEMICONDUCTOR FTK4435TECHNICAL DATA DDESCRIPTION The FTK4435 uses advanced trench technology to Gprovide excellent RDS(ON), low gate charge .It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S Schematic diagramD D D DGENERAL FEATURES 7 6 5 8 VDS = -30V,ID = -9.1A RDS(ON)

 8.1. Size:496K  first silicon
ftk4438.pdfpdf_icon

FTK4435

SEMICONDUCTOR FTK4438TECHNICAL DATADESCRIPTION The FTK4438 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switchor in PWM applications.Schematic diagramD D D DGENERAL FEATURES 7 6 58 VDS = 60V, ID = 8.2A RDS(ON)

 9.1. Size:231K  first silicon
ftk4414.pdfpdf_icon

FTK4435

SEMICONDUCTOR FTK4414 TECHNICAL DATADDESCRIPTIONThe FTK4414 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagramGENERAL FEATURESD D D D VDS = 30V,ID = 8.5A 8 7 6 5RDS(ON)

 9.2. Size:505K  first silicon
ftk4410d.pdfpdf_icon

FTK4435

SEMICONDUCTORFTK4410DTECHNICAL DATAN-Channel MOSFET AIDESCRIPTIONCJThe FTK410D uses advanced trench te chnology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. DIM MILLIMETERSThis device is suitable for use as a load switch A 6 50 0 2B 5 60 0 2or in PWM applications. C 5 20 0 2D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAXI 2 30 0

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SRT06N095LMG | IRFR5410PBF | STP5NB40 | RFP15N06L | KHB5D0N50F2 | CMUDM7005 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.