FTK4503. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK4503

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для FTK4503

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK4503 даташит

 ..1. Size:242K  first silicon
 ftk4503.pdf pdf_icon

FTK4503

SEMICONDUCTOR FTK4503 TECHNICAL DATA DESCRIPTION The FTK4503 uses advanced trench technology MOSFET to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFET may be used in power inverters, and other applications. P-channel N-channel Schematic diagram GENERAL FEATURES D 1 D 1 D 2 D 2 N-Channel 6 5 8 7 VDS = 30V,ID = 6.9A 4503 RDS(ON)

Другие IGBT... FTK4407, FTK4409, FTK4410, FTK4410D, FTK4414, FTK4435, FTK4438, FTK4459, IRF4905, FTK4604, FTK4703, FTK4822, FTK4828, FTK4828D, FTK4828F, FTK4953, 2SJ463A