Справочник MOSFET. FTK4828

 

FTK4828 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FTK4828
   Маркировка: Q4828
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для FTK4828

 

 

FTK4828 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  first silicon
 ftk4828.pdf

FTK4828 FTK4828

SEMICONDUCTOR FTK4828TECHNICAL DATADual N-Channel MOSFET DESCRIPTIONThe FTK4828 uses advanced trench N-channel N-channel te chnology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. Schematic diagram This device is suitable for use as a load switch D 2 D 2 D 1 D 1or in PWM applications. 6 58 7Q48281 2 43 FEATURESS 2 G 2 G 1S 1 Marking and pin AssignmentV

 0.1. Size:312K  first silicon
 ftk4828f.pdf

FTK4828 FTK4828

SEMICONDUCTORFTK4828FTECHNICAL DATAACN-Channel MOSFET HGDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_B 2.50 0.20DESCRIPTIONC 1.70 MAXDDD 0.45 0.15/-0.10KE 4.25 MAX_The FTK4828F uses advancd trench technology to provide excellent F F F 1.50 0.10G 0.40 TYPH 1.7 MAXRDS(ON) and low gate charge. J 0.7 MINK 0.5 0.15/-0.101 2 3 This device is suitable for use as a lo

 0.2. Size:323K  first silicon
 ftk4828d.pdf

FTK4828 FTK4828

SEMICONDUCTORFTK4828DTECHNICAL DATAN-Channel MOSFET AIDESCRIPTIONCJThe FTK4828D uses advancd trench technology to provide excellentRDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch DIM MILLIMETERS or in PWM applications. A 6 50 0 2 B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAXI 2 30 0 2

 8.1. Size:509K  first silicon
 ftk4822.pdf

FTK4828 FTK4828

SEMICONDUCTOR FTK4822TECHNICAL DATADual N-Channel MOSFET DESCRIPTIONThe FTK4822 uses advanced trench N-channel N-channel te chnology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. Schematic diagram This device is suitable for use as a load switch D 2 D 2 D 1 D 1or in PWM applications. 6 58 748221 2 43 FEATURESS 2 G 2 G 1S 1 Marking and pin AssignmentVD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top