WNM3011. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WNM3011

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для WNM3011

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM3011 даташит

 ..1. Size:465K  willsemi
 wnm3011.pdf pdf_icon

WNM3011

WNM3011 WNM3011 Http //www.willsemi.com N-Channel, 30V, 5.7A, Power MOSFET Rds(on) V(BR)DSS ( ) 0.028@ 10V 30V 0.039@ 4.5V SOT-23-6L S D D Descriptions 6 5 4 The WNM3011 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC 1 2 3 D

 8.1. Size:1778K  willsemi
 wnm3017.pdf pdf_icon

WNM3011

WNM3017 WNM3017 www.sh-willsemi.com Single N-Channel, 30V, 5.7A, Power MOSFET (4) (5) VDS (V) Typical RDS(on) (m ) (6) (7) (8) 30V 17@ VGS=10V (3) (1) (2) (2) (1) (3) Descriptions DFN2x2-6L D D S The WNM3017 is N-Channel enhancement 6 5 4 MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) 7 8 D S with

 8.2. Size:2511K  willsemi
 wnm3018.pdf pdf_icon

WNM3011

WNM3018 WNM3018 Http //www.sh-willsemi.com Small Signal N-Channel, 50V, 0.2A, MOSFET V (V) Typical Rds(on) ( ) DS 1.2@ V =10V GS 1.4@ V =4.5V GS 50 1.9@ V =2.5V GS 5.4@ V =1.8V GS ESD Rating 2000V HBM Descriptions The WNM3018 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench Pin configuration (Top view) technology and design to provide exc

 8.3. Size:1641K  willsemi
 wnm3013.pdf pdf_icon

WNM3011

WNM3013 WNM3013 Http //www.sh-willsemi.com Small Signal N-Channel, 50V, 0.25A, MOSFET D V (V) Typical Rds(on) ( ) DS 1.2@ V =10V GS 1.4@ V =4.5V GS S 50 G 1.9@ V =2.5V GS 4.0@ V =1.8V GS SOT-723 ESD Rating 2000V HBM D 3 Descriptions 1 2 The WNM3013 is N-Channel enhancement MOS G S Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to prov

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WNM2021, WNM2024, WNM2030, WNM2046, WNM2046B, WNM2072, WNM3003, WNM3008, AON7403, WNM3013, WNM3017, WNM4001, WNM4002, WNM4006, WNM4153, WNM6001, WNMD2153