WNM3013. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WNM3013

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: SOT723

Аналог (замена) для WNM3013

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WNM3013 даташит

 ..1. Size:1641K  willsemi
 wnm3013.pdf pdf_icon

WNM3013

WNM3013 WNM3013 Http //www.sh-willsemi.com Small Signal N-Channel, 50V, 0.25A, MOSFET D V (V) Typical Rds(on) ( ) DS 1.2@ V =10V GS 1.4@ V =4.5V GS S 50 G 1.9@ V =2.5V GS 4.0@ V =1.8V GS SOT-723 ESD Rating 2000V HBM D 3 Descriptions 1 2 The WNM3013 is N-Channel enhancement MOS G S Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to prov

 8.1. Size:1778K  willsemi
 wnm3017.pdf pdf_icon

WNM3013

WNM3017 WNM3017 www.sh-willsemi.com Single N-Channel, 30V, 5.7A, Power MOSFET (4) (5) VDS (V) Typical RDS(on) (m ) (6) (7) (8) 30V 17@ VGS=10V (3) (1) (2) (2) (1) (3) Descriptions DFN2x2-6L D D S The WNM3017 is N-Channel enhancement 6 5 4 MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) 7 8 D S with

 8.2. Size:2511K  willsemi
 wnm3018.pdf pdf_icon

WNM3013

WNM3018 WNM3018 Http //www.sh-willsemi.com Small Signal N-Channel, 50V, 0.2A, MOSFET V (V) Typical Rds(on) ( ) DS 1.2@ V =10V GS 1.4@ V =4.5V GS 50 1.9@ V =2.5V GS 5.4@ V =1.8V GS ESD Rating 2000V HBM Descriptions The WNM3018 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench Pin configuration (Top view) technology and design to provide exc

 8.3. Size:465K  willsemi
 wnm3011.pdf pdf_icon

WNM3013

WNM3011 WNM3011 Http //www.willsemi.com N-Channel, 30V, 5.7A, Power MOSFET Rds(on) V(BR)DSS ( ) 0.028@ 10V 30V 0.039@ 4.5V SOT-23-6L S D D Descriptions 6 5 4 The WNM3011 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC 1 2 3 D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WNM2024, WNM2030, WNM2046, WNM2046B, WNM2072, WNM3003, WNM3008, WNM3011, K2611, WNM3017, WNM4001, WNM4002, WNM4006, WNM4153, WNM6001, WNMD2153, WNMD2154