WNM4006 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WNM4006
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: SOT23
WNM4006 Datasheet (PDF)
wnm4006.pdf
WNM4006WNM4006Http://www.sh-willsemi.com Single N-Channel, 45V, 1.7A, Power MOSFET VDS (V) Rds(on) ( )0.126@ VGS=10V0.142@ VGS=4.5V 450.147@ VGS=4.0V 0.208@ VGS=2.5V SOT-23 DescriptionsDThe WNM4006 is N-Channel enhancement MOS 3Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is su
wnm4006.pdf
Product specificationWNM4006Single N-Channel, 45V, 1.7A, Power MOSFET VDS (V) Rds(on) ( )0.126@ VGS=10V0.142@ VGS=4.5V 450.147@ VGS=4.0V 0.208@ VGS=2.5V SOT-23 DescriptionsD3The WNM4006 is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON)with low gate charge. This device is suitable for use
wnm4001.pdf
WNM4001WNM4001Small Signal N-Channel, 20V, 0.5A, MOSFET Http://www.willsemi.com Top V(BR)DSS RDS(on) Max. ID MAX D30.7 @ 4.5V 0.5A20 V 0.85 @ 2.5V 0.3A 1 21.25 @ 1.8V 0.1A G SSOT-523 DescriptionsD3The WNM4001 is the N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge
wnm4002.pdf
WNM4002WNM4002Small Signal N-Channel, 20V, 0.3A, MOSFET Http://www.willsemi.com Top V(BR)DSS RDS(on) Typ.D31.4 @ 4.5V 20 V 2.2 @ 2.5V1 23.8 @ 1.8VG SSOT-523 DescriptionsD3The WNM4002 is the N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor, uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918