WPM4803 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WPM4803
Маркировка: WPM4803
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.066 Ohm
Тип корпуса: SOP8P
WPM4803 Datasheet (PDF)
wpm4803.pdf
WPM4803WPM4803P-Channel Enhancement Mode MOSFET DescriptionThe WPM4803 is the Dual P-Channel logic enhancement www.willsemi.commode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. PIN CONNECTIONS These devices are particularly suited for low volt
wpm4801.pdf
WPM4801WPM4801P-Channel Enhancement Mode MOSFET www.willsemi.comDescriptionThe WPM4801is the Dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using PIN CONNECTIONShigh cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to 1S1 8 D1minimize on-state resistance. G1 D1These devices are particularly s
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
