Справочник MOSFET. WPM4803

 

WPM4803 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WPM4803
   Маркировка: WPM4803
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm
   Тип корпуса: SOP8P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WPM4803 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  willsemi
 wpm4803.pdf pdf_icon

WPM4803

WPM4803WPM4803P-Channel Enhancement Mode MOSFET DescriptionThe WPM4803 is the Dual P-Channel logic enhancement www.willsemi.commode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. PIN CONNECTIONS These devices are particularly suited for low volt

 8.1. Size:857K  willsemi
 wpm4801.pdf pdf_icon

WPM4803

WPM4801WPM4801P-Channel Enhancement Mode MOSFET www.willsemi.comDescriptionThe WPM4801is the Dual P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using PIN CONNECTIONShigh cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to 1S1 8 D1minimize on-state resistance. G1 D1These devices are particularly s

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HSM4410 | WMS14DN03T1

 

 
Back to Top

 


 
.