DMG3401LSN - аналоги и даташиты транзистора

 

DMG3401LSN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMG3401LSN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для DMG3401LSN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG3401LSN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  diodes
 dmg3401lsn.pdf pdf_icon

DMG3401LSN

DMG3401LSN30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(on) max Low On-ResistanceTA = 25C Low Input/Output Leakage 50m @ VGS = -10V -3.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) -30V 60m @ VGS = -4.5V -3.3A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 85m @ VGS =

 ..2. Size:94K  tysemi
 dmg3401lsn.pdf pdf_icon

DMG3401LSN

Product specificationDMG3401LSN30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(on) max Low On-ResistanceTA = 25C Low Input/Output Leakage 50m @ VGS = -10V -3.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) -30V 60m @ VGS = -4.5V -3.3A Halogen and Antimony Free. Green Device (

 8.1. Size:525K  diodes
 dmg3404l.pdf pdf_icon

DMG3401LSN

DMG3404L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Max V(BR)DSS RDS(ON) Max Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 5.8A 25m @ VGS = 10V Low Input/Output Leakage 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 35m @ VGS = 4.5V 4.8A Halogen and Antimony Free.

 8.2. Size:281K  diodes
 dmg3402l.pdf pdf_icon

DMG3401LSN

DMG3402L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features Low On-Resistance: ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 52m @ VGS = 10V 4A Fast Switching Speed 30V 65m @ VGS = 4.5V 3A Low Input/Output Leakage 85m @ VGS = 2.5V 2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (No

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSR302N , BSR802N , BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N , DMG2307L , P60NF06 , DMG3407SSN , DMN2041L , DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G .

History: CS2N60P | HM1P15MR | DMP2033UVT | KP505G | NCEP0225F | SVF18N65F | UT2316

 

 
Back to Top

 


 
.