Справочник MOSFET. DMN2041L

 

DMN2041L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN2041L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для DMN2041L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2041L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  diodes
dmn2041l.pdfpdf_icon

DMN2041L

DMN2041LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

 ..2. Size:123K  tysemi
dmn2041l.pdfpdf_icon

DMN2041L

Product specificationDMN2041LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Fast Switching Speed Terminal

 0.1. Size:182K  diodes
dmn2041lsd.pdfpdf_icon

DMN2041L

DMN2041LSDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-0

 7.1. Size:398K  diodes
dmn2041ufdb.pdfpdf_icon

DMN2041L

DMN2041UFDB DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C 40m @ VGS = 4.5V 4.7A Low Profile, 0.6mm Max Height N-Channel 20V 3.7A 65m @ VGS = 2.5V ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and An

Другие MOSFET... BSS205N , BSS214N , BSS306N , BSS316N , BSS806N , DMG2307L , DMG3401LSN , DMG3407SSN , 10N65 , DMN3110S , DMP1045U , MGSF1N02LT1G , MGSF1N03LT1G , MGSF2N02ELT1G , NTR1P02LT1G , PMV170UN , PMV185XN .

History: TMU4N60H | CS12N06AE-G | NCE035N30G

 

 
Back to Top

 


 
.