Справочник MOSFET. IRF614A

 

IRF614A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF614A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRF614A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF614A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:945K  samsung
 irf614a.pdf pdf_icon

IRF614A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaA Lower Leakage Current : 10 (Max.) @ VDS = 250V Lower RDS(ON) : 1.393 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic

 8.1. Size:295K  1
 irf614 irf615.pdf pdf_icon

IRF614A

 8.2. Size:134K  international rectifier
 irf614pbf.pdf pdf_icon

IRF614A

IRF614, SiHF614Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 4.5Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

 8.3. Size:174K  international rectifier
 irf614s.pdf pdf_icon

IRF614A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF550A , IRF610 , IRF610A , IRF610S , IRF611 , IRF612 , IRF613 , IRF614 , AO3400 , IRF614S , IRF615 , IRF620 , IRF620A , IRF620FI , IRF620S , IRF621 , IRF6215 .

History: ECH8668

 

 
Back to Top

 


 
.